小信号表面光電圧（SPV）測定技術が、層間移動SOIプロセスに使用される典型的なイオン注入物のモニタリングに適用されています。このSPVウェーハマッピング手法は、1450Aåの表面酸化物を介して (100) 個のシリコンウェーハに水素とヘリウムを注入した場合の線量に対する感度、注入の均一性、再現性について調査されました。調査した症例の標準感度は約1.2でした。水素を注入したウェーハ上で数日間にわたって、1シグマ標準偏差の 0.5% 未満という実証済みの再現性が測定されました。今回ご紹介した小信号SPV計測技術により、SOIウェーハ製造プロセスにおける重要なイオン注入ステップのインラインSPC制御が可能になります。
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