多層構造の深さプロファイリングの改良方法

GaAlAs層を含む半導体材料を溶解するための改良された方法が開発されました。この修正された方法では、陽極プロセスと陰極プロセスを交互に適用して、キャリア濃度測定用の表面をヒ素を含まないものにしています。

この方法の利点は、従来の技術と修正された技術によって得られたさまざまな半導体構造の深さプロファイルを比較することによって実証されます。

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