高度なDRAM製造ウェーハのアクティブキャパシタセル領域のZrO2/Al2O3/ZrO2（ZAZ）誘電体スタックで取得したマイクロコロナ-ケルビンデータを紹介します。具体的には、パターン化されたウェーハで測定されたマイクロ-SASS（自己調整定常状態）電圧データを、ブランケットZAZ誘電体スタックで同様に取得したデータと比較します。この比較から、アクティブエリアのマイクロSASS電圧がZAZ誘電体スタックの容量に比例すると解釈するモデルを定式化します。この手法と付属モデルの検証は、さまざまなプロセス偏差に対する感度を示す生産ベースラインの測定を通じて行われます。インラインのアクティブセル面積のマイクロSASSデータを、ライン末端の電気パラメトリック測定キャパシタンスおよびブレークダウン電圧データと比較することで、さらなる検証が可能になります。また、コロナ充電とアクティブデバイス領域での測定を含むこの方法は、最終的なデバイスの収量に悪影響を及ぼさないことも実証しています。
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