
ウェーハボンディング技術は、集積回路の性能やデバイスのスケーリングとともに、重要な半導体製造プロセスステップとして進化してきました。ボンディング技術は、SOI製造におけるウェーハ基板、MEMSのデバイスプロセス、CMOSイメージャー製品に応用でき、ヘテロジニアス統合時代のバックエンドおよびパッケージングプロセスにおいて重要な役割を果たしています。I/O チャネルの密度が高くなるにつれて、ボンディングプロセスの制御もそれに追随する必要があります。プロセス要件から導き出されるクリティカルディメンション (CD) とオーバーレイ計測は、1 桁のナノメートルの範囲で動作し、検査システムはサブマイクロメートルの範囲で動作する必要があります。