日本応用物理学ジャーナル, 30, 第12B号, 3630-3633

注入レベル分光法:シリコン中の新しい非接触汚染分析技術

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Abstract

マイクロ波光伝導率の減衰は、励起光強度の関数で測定されました。再結合寿命データを分析する新しい手法を用いて、シリコンウェーハ内のさまざまな金属汚染物質の定性的な横方向分布図を作成できる実験方法が提示されました。

Topic

汚染分析、シリコン (Si)

Author

G・フェレンツィ、T・パベルカ、P・トゥット

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