非接触SASS法による高誘電特性の調査

p型Siへの原子層堆積によって成長した積層HfO2層に、誘電体のパルスコロナ帯電と振動CPDプローブによる時間分解電圧測定に基づく非接触ハイkモニタリング技術を適用しました。このアプローチにより、C-Vタイプの測定とトンネリング範囲での高磁界電流測定の組み合わせが可能になることが示されています。この 2 つの組み合わせにより、等価酸化膜厚 EOT と、誘電体漏れ電流の対数的尺度であるリークインジケータ LI が得られ、ゲート誘電体の定量的特性評価を行うための強力な手段となります。この手法をHfO2の厚さが異なるスキューに適用すると、層間のEOT、HfO2の誘電率、HfO2の伝導帯オフセットが得られます。