改良型μ-PCD技術によるMc: Siブリックの寿命特性評価

従来のµ-PCDライフタイムマッピング技術のバルク太陽電池グレードSi材料（インゴット、ブロック）への適用を改善するための非常に効率的な方法が導入されました。記録された光伝導度減衰曲線の形状は、電子正孔対の生成に使われるレーザーの特性の影響を強く受けます。元のレーザー構成を最適化された設定に置き換えることで、表面再結合の影響を軽減できるため、測定可能な減衰時間が大幅に長くなります。これにより、Siブリックの高品質部品のキャリア寿命特性をより適切に評価することが可能になります。さらに、類似の手法とは異なり、µ-PCDの推奨実現方法では、Siブリック全体にわたって測定値の注入レベルが比較的均一になります。実験とシミュレーションの結果は非常によく一致しており、アップグレードされたµ-PCD法の適用性が高いことが確認されています。

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