電荷キャリア寿命法によるP型シリコン中の銅の測定

p-Si中の銅析出物の再結合活性の測定において、SPV法とµ-PCD法を比較しました。銅析出物は、室温での照明によりバルクシリコン中に形成されました。SPVで測定した銅析出物の再結合活性は、µ−PCD法で測定したものよりも高いことがわかりました。しかし、銅の検出感度はSPV法とµ-PCD法とほぼ同じであるようです。

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