プラズマ損傷のモニタリング：リアルタイムの非接触アプローチ

プロセス温度、幾何緯度、および不純物管理に必要な制約により、IC製造におけるプラズマ処理（つまり「ドライ」プロセス）の使用が継続的に増加しています。プラズマ処理の基礎となる気体放電は、異方性エッチング、誘電体蒸着、イオン注入などのプロセスを可能または容易にする独特の物理的および化学的特性を示します。

プラズマ技術は非常に支配的になり、それがなければ、現在および将来の世代のほとんどのICデバイスを製造することはできませんでした。しかし、デバイスの寸法が小さくなるにつれて、プラズマ処理によって生じるあらゆる損傷が懸念されるようになっています。観察された有害な影響には、電荷の蓄積によるゲート酸化損傷とエッチングプロファイルの歪み [1、2]、酸化物とシリコンの汚染、特に重金属による汚染 [3]、プラズマ放射による酸化物、Si-Si [O.sub.2] 界面、および下にあるシリコンへの損傷 [4] があります。

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