分光エリプソメトリーによる垂直共振器面発光レーザ用途のサブ波長グレーティング構造のモニタリング

GaAsベースの垂直共振器面発光レーザー（VCSEL）は、イメージング技術、光学センサー、および相互接続における多数の用途により、最も急速に成長している市場の1つです。これらのレーザーダイオードの安定したシングルモード動作は、多くの場合、GaAs半導体の表面にサブ波長構造を形成することによって実現されます。製造プロセスでは、形成されたナノ構造を迅速に、できれば非接触で検査することが望まれます。スペクトルエリプソメトリーに基づく計測法によるナノ構造特性評価は、半導体産業において欠くことのできないツールとなっています。エリプソメトリーの高度な方法は、ミューラーマトリックスエリプソメトリーの応用です。これにより、標準的なエリプソメトリー測定では測定が困難であったり、到達できない構造の詳細の特性評価が可能になります。この論文では、著者らは、VCSEL製造の過程でGaAs基板上に形成されたライングレーティングのスペクトルエリプソメトリーとミューラーマトリックススペクトルエリプソメトリーを使用したモデルベースの次元計測によるナノ構造特性評価の結果を提示します。