2007
ECS ミーティング、シカゴ、2007 年 5 月

薄いSOI特性評価のための非接触光電法

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Abstract

薄いSOI中のシリコン膜の厚さを正確かつ迅速に測定するための非接触光電測定方法が開発されました。測定結果を説明する簡単なモデルが提案されています。測定結果と標準的な光学技術で得られたデータとの間に優れた相関関係があることが実証されました。

Topic

非接触、光電測定、シリコン膜厚、SOI

Author

E・ツィディルコフスキー、K・スティープルズ

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