ワイドバンドギャップウェーハ製造におけるスループットの向上と高精度を備えた非接触ドーピング測定

コロナ電荷表面電圧CNCV技術の改変に基づく、ワイドバンドギャップ半導体の非接触ドーピングモニタリングへの新しいアプローチを紹介します。このアプローチは、測定時間を短縮し、標準的な12サイトの測定パターンで1時間あたり20ウェーハのスループットを達成することを目的としています。このような高速測定（現在のCNCVと比較して5倍の速さ）は、0.1～0.2％という高い精度で行われます。測定速度を上げるための鍵となるのは、ワイドバンドギャップ材料に特有の、深部空乏におけるコロナ電荷バイアスの光誘起制御の開発です。この手法は、表面がむき出しのワイドバンドギャップ半導体にも適用できます。エピタキシャル4H-SiCについて、新しいドーピング測定を実証する具体的な結果が示されています。