シリコンPVのパッシベーション検査のためのインラインPLイメージングへの新しいアプローチ

最近導入されたシングルPL画像コンセプトに基づくPLイメージングによるインライン表面パッシベーション検査の新しい非常に効果的なアプローチに関する進捗状況について報告します。この新しいインラインPL技術の詳細が紹介され、高度な太陽電池の製造におけるプロセス検査ツールとしての適用性が実証されています。ヘテロ接合構造を用いた方法論の例が示されており、特に高効率セルに有望です。生のPL画像自体が、QSS-μPCD技術による直接パラメータキャリブレーションによるパッシベーション欠陥の高解像度可視化に適しているという観察結果に加えて、PL画像をエミッタ飽和電流（J0e）および暗黙のVoc画像に変換できることが示されました。当社のインラインPLイメージング技術の精度は、生のPLカウント画像を従来および広く使用されている2Dカメラベースの静止PLイメージング技術と比較し、計算されたインラインPLベースのJ0eおよび暗黙のボイスイメージを、準定常状態の光バイアス差寿命ベースのQSS-μPCD技術によって決定されたJ0eおよび暗黙のVoc画像と比較することによって調査されます。どちらの比較試験でも、適用された技術間の優れた一致が示され、実用上の利点だけでなく、インラインPLイメージング技術の精度も確認されています。