改良されたµ-PCD技術によるエピ層と界面特性の評価

マイクロ波光伝導減衰（μ-PCD）と表面光電圧（SPV）法は、半導体バルク材料の適格性評価において強力な方法であることが証明されています。これらの手法は、材料品質が均一な標準ウェーハに最も適しています。ただし、エピタキシャル層 (epi) ウェーハやシリコン・オン・インシュレータ (SOI) 構造を測定する場合、どちらの方法にも限界があります。従来の方法では、SPVの測定は活性層の厚さによって制限されていました。一方、高濃度にドープされた基板上にエピ層を成長させた場合、μ-PCD測定では通常、十分な信号を生成できません。

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