2013
2013年 IEEE 太陽光発電スペシャリスト会議 (PVSC)

QSS-μPCD法による直接キャリブレーションを用いたフォトルミネッセンスベースのエミッタ飽和電流イメージングの単一画像コンセプト

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Abstract

フォトルミネッセンスイメージングベースの技術が導入されました。これにより、広範囲の材料パラメータにわたって、単一のPL画像のみでウェーハのエミッタ飽和電流画像を測定できます。QSS-μPCD技術を使用して、ダイレクトJの独立した基準値を記録します。e 校正。拡張Jで正確な結果を得るには、次のことが示されています。e また、バルクの寿命範囲、バルクの寿命の推定は非常に役立ちます。QSS-μPCD Basore-Hansenプロットから、このバルクの寿命値を確実に推定できることが分かりました。計算された寿命関連の補正値を、良好な一致を示す実験結果と比較します。潜在的な産業用インラインアプリケーションとして、1DカメラベースのPLセットアップの結果が示されています。

Topic

元素半導体、フォトルミネッセンス、シリコン (Si)

Author

F. Korsós、A. Zsóvár、J. Lagowski、M. Wilson、Z. Kiss、Z. Kovács、G. Nádudvari

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