空気中のコロナ帯電により応力を加えた薄膜酸化物の応力誘起リーク電流の研究：GOI欠陥との関係

空気中のコロナ帯電と、接触電位差プローブによる非接触酸化物電荷測定を組み合わせると、MOSコンデンサを準備しなくても電子トンネル特性を迅速に監視できるという独自の可能性が得られます。また、トンネリング域の薄い酸化物をコロナ帯電させると、応力によって誘発されるリーク電流の生成に非常に効果的であることもわかっています。この研究では、コロナ応力によって誘発されるリーク電流の大きさがゲート酸化物の完全性欠陥密度に及ぼす感度を実証しました。実験結果は、ゲート酸化膜の完全性に関する最も一般的な欠陥の3つを対象としています。1 — 1×1010から1×1011原子/cm3の実質的に重要な低濃度範囲で重金属（Fe.Cu）によって誘発される欠陥：2 —界面粗さに起因する欠陥、3—結晶起源の粒子に関連する欠陥。

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