表面電荷プロファイリング — イオン注入モニタリングの進歩

業界が65nmおよび45nmデバイスの新しいテクノロジーノードに乗り出すにつれて、一貫したデバイス性能のためには、インプラントモニターがますます重要になっています。インプラントの損傷に対しては、シート抵抗を用いた4点プローブと、熱波法を用いるのが一般的でした。ただし、どちらの手法も感度には限界があります。イオン注入プロセスにおける微小な変化をモニタリングする必要があるため、インプラントモニタリングに関する新しい、より優れたアプローチが必要になっています。

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