電子移動度および正孔移動度が高いSn注入法による表面歪みGe-Czウェーハ

Siウェーハ上のGe-EPIには1E7/cm2を超えるTDDが含まれているため、ジャンクションリークが悪化し、移動性も低下する可能性があります。そこで、Ge-EPI TDDを使用しない代替品としてGe-Czウェーハの使用を検討したところ、表面Snを最大16％注入すると、XRDで測定した表面引張ひずみ-GEが誘発され、最上部の30nm nウェル表面層の移動度（μe）が500cmから2.5倍向上することがわかりました。²/最大1250センチメートル²/Vs. しかし、表面引張ひずみ-GEは、上部30nmのPウェル表面層の移動度（μh）を3000cmから73％低下させました²/Vs から 800cm まで²/Vsおよび表面積移動度が1850cmから74％向上²/Vs から 480cm まで²/対.