エピタキシャルSiCの欠陥の表面電圧とμPCDマッピング

コロナを帯電して深く空乏したエピタキシャルSiC上のケルビンプローブ表面電圧マッピング（SVM）により、表面電圧が低下したスポットとして現れるSV欠陥が明らかになります。厚さ150μmのエピ層の場合、SV欠陥は、マイクロ波で検出された光伝導減衰（μPCD）によって明らかになったキャリア寿命の短いスポットと一致します。フォトルミネッセンス画像では、これらの欠陥は三角形のダークスポットとして見られますが、文献では積層断層に関連する三角形の欠陥として説明されています。薄いエピレイヤー (2.2μm) の場合、欠陥が見えるのはSVMに限られます。この場合、ケルビンフォース顕微鏡を用いて高分解能SVMを行うと、三角形の欠陥形状が識別されます。SV 欠陥を考慮した 2 つのメカニズムが提案されています。大きく急激な電圧低下を示す高強度欠陥の場合、考えられるメカニズムは、欠陥に関連した漏れ、つまりコロナ表面イオンが中和されるというものです。強度の低い欠陥は、深層放射を考慮すると説明できます。後者のメカニズムは、等温DLTSやラプラスDLTSに類似したSVトランジェント解析とスペクトル解析を用いて研究されています。