InAs/GaAs量子ドットからの熱電子放出とトンネル電子放出の3次元マッピング

温度、印加サンプル電圧、DLTS信号によって与えられるパラメータ空間における深層過渡分光法（DLTS）からのデータの3次元表現を使用して、量子ドットの複雑な基本特性を解釈する方法が実証されています。InAsGaAs量子ドットの実験結果を、同じパラメータ空間で提示された理論計算と比較します。このような比較から、電荷キャリアトンネリングと熱放出、およびこれらの混合が支配的なさまざまな領域を特定できるため、この種のシステムからの複雑な放射データをその構成要素に分解できます。