2005
ジャンクションテクノロジー、2005年。第5回国際ワークショップの拡張要約、49-52ページ

超低エネルギー (ULE) インプラント用量および活性化モニタリング

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Abstract

この論文では、プローブの貫通の影響を受けずに4ppシートの抵抗を正確に測定するために新たに開発された技術について説明します。また、電気的に活性な表面ドーパント密度(NSURF)は、1本の非貫通性、非損傷性、非汚染性のEMプローブで直接測定されます。EMプローブには2種類あります。1つは静電容量-電圧 (CV) アプリケーション用で、もう1つは電流-電圧 (IV) アプリケーション用です。EM-Probe 4ppは、ソース・ドレイン伸長(SDE)構造とp/n超浅接合(USJ)構造を測定できることがわかりました。従来の4ppは約30~40nm以上に限られていることがわかりました。線量とシート抵抗のばらつきから、イオン注入とアニーリングプロセスに関する貴重な情報が明らかになり、これは強力な特性評価ツールと思われます。

Topic

インプラント用量、アクティベーションモニタリング、インプラント、アクティベーション

Author

J・ボーランド、R・ヒラード、M・ベンジャミン、E・グーラー

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