PULSION® へのプラズマイマージョン注入とそれに続くレーザー熱処理による超浅接合部の作製

45 nm未満のITRSノード用のP+/N接合の要件を満たすには、超低エネルギーで高線量の注入が必要です。従来のビームライン注入は、半導体用途での超浅接合（USJ）の実現において効率がもはや証明できないプラズマ浸漬イオン注入（PIII）と比較して、低エネルギーに制限されています。この技術では、エネルギーと高線量率の制限がないため、（注入したまま）究極の浅いプロファイルを得ることができます。