PMR-C技術を用いたSiおよびSiCウェーハへのイオン注入プロセスの多彩なモニタリング

光変調反射率（PMR）技術はSiウェーハへのイオン注入プロセスのモニタリングに広く利用されており、SiCウェーハに適用できるツールはセミラボ株式会社で継続的に開発されています。この研究では、主にイオン注入SiCウェーハモニタリング用に設計されたSemilab PMR-2200Cデバイスによって測定された結果を紹介します。さらに、同じ装置はイオン注入されたSiウェーハを効果的に監視するのにも適しています。適切な測定条件下では、SiCとSiの両方について、PMR信号と注入線量（損傷量など）の単調な傾向を幅広い線量範囲で観察できます。したがって、PMRは、注入後のウェーハをハイスループットでプロセスモニタリングするための効果的な非破壊非接触ツールです。