出版物

András Bojtor, Dávid Krisztián, Gábor Paráda, Ferenc Korsós, Sándor Kollarics, Gábor Csősz, Bence G. Márkus, László Forró, Ferenc Simon

Carrier generation & recombination; Metrology; Optoelectronics; Photoconductivity; Radio frequency techniques; Devices; Semiconductors; Microwave techniques

タマス・タルジャーニ、ガボール・グリアス、クリスティアン・バリ、マートン・サーミ、レベカ・アンナ・キス、バーバラ・ベイラー、ピーター・フュルジェス、ティボール・サボー

ナノインデンテーション、硬度、クリープ、ウェーハ、SU-8、エポキシ

タマス・タルヤーニ、チャバ・ロシュトッチ、フェレンツ・ペターク、フルジナ・クン・サボ、ガボール・グリアス、ヨゼフ・トルナイ、クリスティアン・バリ、ペトラ・ソモジ、レベッカ・アンナ・キス、ジョージ・H・フォドール

ナノインデンテーション、糖尿病、肋骨、動的負荷、老化、IND

R. J. Quinn1、Y. Go2、A.B. Naden 3、A. Bojtor、G. Paráda、A. K. M. A. Shawon 5、K. Domosud 6、K. Refson 6、A. Zevalkink 5、N. Neophytou 2、J. W. G. Bos 3

ホール効果

アンドラス・ボントール、ダビド・クリスティアン、ガーボル・パラダ、フェレンツ・コルソス、サンドル・コラリッチ、ガーボル・チェス、ベンス・G・マルクス、ラースロ・フォロ、フェレンツ・シモン

UPCD

エメケ・アルベルト*; ペテル・バサ、バーリント・フォドール; ゾフィア・ケレステス、ヤノス・マダラス、ピーター・マルトン、ダニエル・オラス、アデル・サロルタ・ラッツ、ジェルジ・サフラン、タマス・サボ、ボルバラ・テグゼ、ティボール・ヘルトゾルターン・ホルヴォルジ

EP (エリプソメトリックポロシメトリー)

マキシーミノ・ジェナンズ･ジャネロド、アルフタ･バーネロド、アルフト・バーレス・ズデデド、マチ・フレディ、アナダナパドナバババ･アジェンドンドンドラク、CETRE.EPLE-SH_OR、ステファン・グルディン

分光里プソトリー

ベクミン・Q・キム1†、ザカリア・ヴィカーズ1†、マテ・フュレディ2,3、リリア・F・エスコベド1、R・バーラス・ベンカテシュ1‡、ステファン・グルディン2,4,5、アーミッシュ・J・パテル1*、デヨン・リー1

分光エリプソメトリー

アダム・J・ラヴェット*、マテ・フレディ、リアム・バード、サミア・サイード、ブランドン・フロスト、ポール・R・シアリング、ステファン・ガルディン、トーマス・S・ミラー*

分光エリプソメトリー

タマス・タルジャニー、アンドラス・ガボール・ジャカブ、マートン・サミ、クリスティアン・バリ、フェレンツ・ラロシ、マヤ・ローラ・ジャラビク、ガボール・ブラウニッツァー、ダニエル・パルコビッチ、リッポ・ラシラ、エディナ・レンペル、マーク・フレーター、スフィアン・ガロウシ

ナノインデンテーション、複合材料特性評価

ベクミン・Q・キム、ザカリア・ビカーズ、マテ・フレディ、リリア・F・エスコベド、R・バーラス・ベンカテシュ、ステファン・ガルディン、アーミッシュ・J・パテル、デヨン・リー

エリプソメトリー、分光エリプソメトリー、分光エリプソメトリー、マッピング、その場加熱、真空チャンバー、ナノ表面特性評価

シアン・シャオ、アイメイ・ヤン、ハンビン・チャン、デミアン・パーク、ヤンドン・ワン、バリント・サボ、エドワード・S・ボイデン、キリル・D・ピアトケビッチ

赤外線、電圧測定

D. ウルリッヒ、Z. ボゾキ、B. M. コヴァッチ、Ö.セプシ、F・ウジェリ、Z・ゾルナイ、J・シヴォス、G・ナドゥドヴァリ、L・バログ

イオン注入、光変調反射測定、シリコン (Si)、シリコンカーバイド (SiC)、イオン注入モニタリング

バロー・イムレ、キス・ロベルタ・ゾフィア、エグリ・ダビッド

分光エリプソメトリー

マテ・フレディ、クリスティーナ・V・マンザノ、アンドラス・マートン、バリント・フォドール、アルベルト・アルバレス・フェルナンデス、*

EP

カタリン・チョンティ、チシラ・ファザカス、キンガ・モルナール、イモラ・ヴィルヘルム、イシュトヴァン・A・クリズバイ、アッティラ・G・ヴェーグ

接着アッセイ、ツァイスAFM、単一細胞力分光法

ジョージ・ハバシ、デビッド・クリスティアン、フェレンツ・コルソス、シャヨン・フー

レーザー制御光伝導減衰 (PCD)

マーク・ウィンディッシュ 1,2、ダニエル・セルメツィ、アダム・ヴィダ、ゾルタン・ダンカージ

イオンボンバード、シリコン、リップル形成、アモルファス層、エリプソメトリー

ジョルジ・ナドゥドヴァリ、ゾルタン・キス、ツェンゲ・ドボス、ルカーチ・ボコディ、ゾルト・コヴァッチ、ガボル・モルナール、デネス・サーズ、シルビア・ポッパ、イムレ・バログ

空気

ジョージ・ハバシ、デビッド・クリスティアン（Zs.ゴンバス-BME-、Z. アダム-エコソリファー・ヘテロジャンクション株式会社)、フェレンツ・コルソス

レーザー制御光伝導減衰 (PCD)

A. Suto、P. Basa、Gy.ナドゥドヴァリ、S. ポッパ

cmp

ヤカ&ダスソン、ヤニ・キャ・ラソン、ターナー・タマズソン、グナーガボール、バリ・クリクリクリルジュ・パファズリック、サーミクマント・フラ・フーターソン

セカンドインク

アンダス・ボイトール、デヴィッド・クリスティアン、フェレンツ・コルソス、サンドル・コラリッチ（3,4）、ガーボル・パラダ、マートン・コラール（5）、エンドレ・ホルヴァス（5）、ザビエル・メッタン（5）、ベンス・G・マルクス（6、3、4）、ラースルフォロー（6）、フェレンツ・シモン（6、7、1、3）

ペロブスカイト、光伝導率、フォトニックアプリケーション、電荷キャリア寿命

ロジャー・ルー、アンジャニ・アクラ、志村洋介、クレメント・ポレット、エリック・ロッセル、トーマス・ダーサップ、アンドリー・ヤコビッチ・ヒカヴィチ、マッテオ・ベギアート、ヤヌス・ボグダノヴィッチ、アレックス・メルクロフ、ムスタファ・アイヤド、ハン・ハン、オリビエ・リチャード、アンドレア・インパニャティエロ、ドン・ワン、山本啓介、タマス・シペッチ、アールパド・ケレケス、ハンス・メルテンス、堀口直人、ロバート・ランガー

アートプラグ

アイシャ・A・リアズ、カラン・カルハ・マリア・バッソ、マテ・フレディ、アンナ・レグーツ

分光エリプソメトリー

ムスタファ・トゲイ、ルクサ・クヨビッチ、ロブ・エリス、マーティン・ブリス、キーラン・カーソン、ガボール・パラダ、エリック・ドン、カート・L・バース、J・マイケル・ウォールズ、ジェイク・W・ブラウアーズ

ホール効果

ベーラ・ホップ、マートン・サーミ、タマス・ゲラ、ユディット・ブダイ、ゲルゴ・バライ、ラザール・トート、ヤノス・ボーフス、ガーボル・グリアス、タマス・ソレーニ、タマス・スマウス

ナノインデンテーション、表面、表面測定、表面処理、ナノ表面特性評価

ホルヘ・ルイス・バスケス・アルセ、ティボール・スタ、バリント・フォドール、ラースロ・マカイ、オスカー・コントレラス、アミン・バーラミ、コーネリアス・ニールシュ、ヒューゴ・ティズナード

エリプソメーター、エリプソメトリー、光学検査、酸化、分光エリプソメトリー、光学計量、原子層堆積

ペテル・マートン、アデル・ラーツ、ベアタ・ソルノキ、ヤノス・マダラース、ノルベルト・ナジ、バーリント・フォドール、ピーター・バサ、ヤノス・ロホンチ、ゾルタン・ホルヴォルジ

エリプソメトリー、XPS、エリプソメトリーポロシメトリー、薄膜厚さ測定、FTIR反射率測定、ポロシメトリー、ナノ構造コーティング、原子層堆積法

アンドラス・ボイトール、ダビド・クリスティアン、フェレンツ・コルソス、サンドル・コラリッチ、ガーボル・パラダ、トーマス・ピネル、マートン・コラール、エンドレ・ホルヴァス、ザビエル・メタン、塩沢秀次、ベンス・G・マルクス、ラースロ・フォロ、フェレンツサイモン

キャリア密度、キャリア寿命、キャリア移動度、チャージキャリア寿命、チャージキャリア、太陽光発電、PV、再結合、チャージキャリア密度、PDLホール

福原幹夫、横塚知則、佐本哲夫、熊滝正彦、武田光洋、橋田敏行

ホール効果測定、材料科学、有機汚染、半導体、半導体材料、半導体デバイス、ナノ硬度、PDLホール

ゾルト・コヴァッチ、カナダ・オヴァッチ。ボロス、テオドラ・N・コヴァッチ、ゾルト・コヴァッチ、ゾルターン。キス

光学検査、シリコン (Si)、偏光赤外線イメージング、目視検査

E・E・ナイバウアー、L・シンコ、Sz.ビロ、Z・ドゥルコ、P・バサ

キャリア密度、エピタキシャル層、半導体、シリコン (Si)、SRP-2100、SRP、FTIR リフレクトメトリー

ボグラルカ・ディコ、ロベルタ・ゾフィア・キス、デヴィッド・エグリ、エメリック・バログ

欠陥検出、欠陥検査、欠陥、エリプソメトリー、材料科学、分光エリプソメトリー

サム・ヴィクトル、ケレケス・アールパード、ポングラッツ・アニータ、ドゥルコ・ゾルト

マイクロPL、JPV、光変調反射率

ジミー・トーンバーグ1、a*、ゲンナディ・ポリスキー2、b、エギディオ・カリア1、c、マティアス・アイザクソン1、d、ビョルン・マグナッソン1、e

UV-フォトルミネッセンス (UV-PL)、表面電圧マッピング

マーシャル・ウィルソン [M. Wilson 1、C. Almeida1、I. Shekerov1、B. Schrayer1、A. Savtchouk1、B. Wilson 2、J. Lagowski1]

ドーピング、エピタキシャル4H-SiC、コロナ非接触C-V、CNCV

マテ・フレディ、アルベルト・アルバレス・フェルナンデス、マキシミリアーノ・ジーザス・ジャラ・フォルネロド、バリント・フォドール、ステファン・グルディン

分光エリプソメトリー、EP

マテ・フレディ、クリスティーナ・V・マンザノ、アンドラス・マートン、バリント・フォドール、アルベルト・アルバレス・フェルナンデス*、ステファン・グルディン*

「ムスタファ・トゲイ、レイチェル・C・グリーンハルフ、ケリー・モリス、シャオレイ・リウ、ルクサ・クヨビッチ、ルイス・C・インファンテ・オルテガ、ニコラス・ハンウィック、アダム・M・ロウ、トゥシャール・シンピ、サンパス・S・ワラジャーバード、エリック・ドン、ガボール・パラダ、カート・L・バース、J・マイケル・ウォールズ、ジェイク・W・バウアーズ」

ホール効果

マーク・フラーター、ヤノス・グロス、アンドラス・ヤカブ、ガーボル・ブラウニッツァー、タマス・タルジャーニ、ガボール・グリアス、クリスティアン・バリ、ポーラ・アンドレア・ヴィラ＝マチャド、スフィアン・ガロウシ、アンドラス・フォースター

材料科学、ナノインデンテーション、複合材料特性評価

M・ウィルソン、C・アルメイダ、I・シェケロフ、B・シュレイアー、A・サヴチョーク、B・ウィルソン、J・ラゴウスキー

ドーピング、エピタキシー、シリコンカーバイド（SiC）、複合材料特性評価、非接触C-Vプロファイリング

デヴィッド・クリスティアン、フェレンツ・コルソス、エニコー・キス、ガーボル・パラダ、ペテル・トゥット

キャリア寿命、寿命測定、光伝導減衰、太陽電池

デヴィッド・クリスティアン、フェレンツ・コルソス、ゲルゲリー・ハバシ

キャリア寿命、キャリア移動度、電荷キャリア、濃度プロファイル、寿命測定、光伝導減衰、シリコン太陽電池

アンドラーシュ・ボイトール、ガーボル・パラダ、ペーテル・テュッテ、ハイナルカ・コルカ、キンガ・セーケ、フェレンツ・コルソス

ホール効果測定、光伝導率、IGZO電気特性評価、PDLホール

マテ・フレディ、バリント・フォドール、アンドラス・マートン、アルベルト・アルバレス・フェルナンデス、アイシャ・アリアズ、カラン・カルハ、アンナ・レグーツ、ステファン・グルディン、ピーター・バサ

エリプソメーター、エリプソメトリー、エリプソメトリーポロシメトリー、エリプソメトリックポロシメトリー、エリプソメトリックポロシメトリー（R&D）、メソポーラスシリカフィルム、ポロシメトリー、メソポーラス

エリック・タッカー、フランク・ラモス、サミュエル・フレイ、ロバート・J・ヒラード、ピーター・ホーバス、ジュラ・ザカイ、アッティラ・マートン

水銀履歴書

エリック・タッカー、フランク・ラモス、サミュエル・フレイ、ロバート・J・ヒラード、ピーター・ホーバス、ジュラ・ザカイ、アッティラ・マートン

誘電特性評価、誘電電荷、水銀C-Vプロファイリング、2DEGシート電荷、ピンチオフ電圧、水銀ゲート

デヴィッド・クリスティアン*、フェレンツ・コルソス、イリアス・セーグ、ガーボル・パラダ、マルティン・コヴァッチ、ジタ・ヴェルドン、チャバ・ジョバジ、ピーター・トゥット、シュエキアン・ドン、ハオ・デン、シャシャ・ワン、シャオボ・チェン

キャリア寿命、渦電流試験、光伝導減衰、モノシリコンのE-PCDキャリア寿命

オー・ケリ、Ａ．ケレケス、J・シヴォス、A・スートー、F・コルソス、G・ナドゥドヴァリ、Z・ゾルナイ

アニーリング、イオン注入、レーザービームアニーリング、マッピング、プラズマイオン注入、シリコン (Si)、シリコン

P. Basa、B. Fodor、Zs.Nagy、B. Oyunbolor、A. Hantman、S. Bordács、I. Kézsmárki、A. Halbritter、A.オルバン

エリプソメトリー、回転補償器、ミューラーマトリックス、分光エリプソメーター

ラースロー・マカイ、ベンジャミン・カラス、ジェルジ・ティボルツ

エリプソメーター、エリプソメトリー、界面、分光エリプソメトリー、表面、表面測定

D. Krisztián、F. Korsós、M. Kovács、F. Ujhelyi、P. Tüttö

深さプロファイル、渦電流試験、太陽電池、PV、シリコン太陽電池、太陽電池、EU PVSEC、EU PVSEC、EU PVSEC、欧州太陽光発電会議および展示会、シリコンPV、セミラボがシリコンPV、シリコンで論文を発表

フェレンツ・コルソス、ガボル・パラダ、シャオヨン・フー、カーメロ・コネッリ、マルチェロ・シュート、セラフィーノ・B・ロー・プレスティ

電気測定、接合光電圧技術、半導体接合、半導体薄膜、太陽電池、薄膜、非接触シート抵抗測定

アンドラス・ボイトール、サンドル・コラリックス、ベンス・ガーボル・マルクス、アンドレイ・シェンキェヴィッチ、マートン・コラール、ラースロ・フォロ、フェレンツ・シモン

キャリア密度、光伝導率、温度、温度依存性、Siの相変態、フォトニック集積回路

ヤコポ・フラスカロリ、マルタ・トニーニ、セレーネ・コロンボ、ルイシト・リヴェラーラ、ルカ・マリアーニ、パオロ・タルガ、ロベルト・フマガリ、ヴィクトル・サム、マテ・ナジ、ガボル・モルナール、アーロン・ホルヴァス、ゾルタン・バルタル、ゾルタン・キス、タマス・シポコイザベラ・マイカ

結晶欠陥、欠陥検出、エピタキシャル層、フォトルミネッセンス、フォトルミネッセンスイメージング、半導体エピタキシャル層、固相エピタキシャル成長、マイクロフォトルミネッセンスイメージング、画像セグメンテーション

ヤコポ・フラスカロリ、セレーネ・コロンボ、ロベルト・フマガリ、イザベラ・マイカ、ルイシト・リベララ、ヴィクトル・サム、ガボル・モルナール

結晶欠陥、フォトルミネッセンス、フォトルミネッセンスイメージング、マイクロフォトルミネッセンスイメージング

ヤコポ・フラスカロリ、マルタ・トニーニ、セレーネ・コロンボ、ルイシト・リヴェラーラ、ルカ・マリアーニ、パオロ・タルガ、ロベルト・フマガリ、ヴィクトル・サム、マテ・ナジ、ガボル・モルナール、アーロン・ホルヴァス、ゾルタン・バルタル、ゾルタン・キス、タマス・シプセイザベラ・マイカ

結晶欠陥、エピタキシャル層、フォトルミネッセンス、シリコン (Si)、ニューラルネットワーク、画像セグメンテーション

ヤコポ・フラスカロリ、セレーネ・コロンボ、ロベルト・フマガリ、イザベラ・マイカ、ルイシート・リベラーラ、ヴィクトル・サム、ガボル・モルナール

結晶欠陥、フォトルミネッセンス、転位、埋没欠陥、ディープトレンチ、ニューラルネットワーク

ロマン・デュル、イザベラ・ミカ、ヤコポ・フラスカロリ、ピエール・ベランジェ

結晶欠陥、欠陥検出、フォトルミネッセンス、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT)

G. パラダ、F. コルソス、A. ボイター、J-W.B・ボス、E・ドン、J・W・バワーズ、M・トゲイ

ホール効果測定、移動度測定、PDLホール、交流磁場

D. Krisztián、F. Korsós、I. Saegh、G. Paráda、P. Tüttó、X. Dong、H. Deng、S. Wang、X. Chen

キャリア寿命、インゴット、単結晶、再結合、シリコン（Si）、MONO-SのE-PCDキャリア寿命

ラースロー・マカイ、テロ・レト、バーリント・フォドール、ピーター・キング

ドーピング、電気特性、分光エリプソメトリー、薄膜、原子層堆積法

クリスティーナ・サンナ、パトリック・テイラー、ロバート・ヒラード、サミュエル・フレイ、ダン・マクドナルド、ジョニー・ホグランド、ギュラ・ザカイ、アッティラ・マートン、ピーター・ホーバス

エピタキシャルシリコン、水銀プローブ、表面処理、水銀C-Vプロファイリング、静電容量-電圧特性、p型、前処理チャンバー

レンケ・コッチ、ボルバラ・テグゼ、エムケ・アルバート、チャバ・メジャー、アンドラス・サライ、バーリント・フォドール、ピーター・バサ、ジェルジ・サフラン、ゾルターン・ホルヴォルジ

多孔質シリカコーティング、分光エリプソメトリー、エリプソメトリックポロシメトリー、メソポーラス、反射防止コーティング

セント・サーバス (Sz)ポトルスキー、D. エルデイ、G・モルナール、Gy.P・アルマーシー・ナドゥヴァリ、Sz.スピンドラー、R・クレッチマー、S・バウアー

結晶欠陥、品質管理、光散乱トモグラフィー、半導体デバイス、光学計測

T. Szarvas、G. Molnár、Gy.ナドゥヴァリ (Sz)トート、P・アルマーシー、Sz。スピンドラー、エルデイ博士、Sz。ポトルスキー、R・クレッチマー、S・バウアー

バルク微小欠陥、ローアングル光散乱トモグラフィー、ローアングル照明

J・P・ガンビーノ、D・プライス、R・ジェローム、H・ジアド、T・フランク、A・ケレケス、V・サムー、A・ロス、Z・キス、J・バーンズ

特性評価、CMOS集積回路、誘電特性評価、非接触、非接触 C-V、フォトルミネッセンス、シリコン (Si)、SOI

ダニエル・オラス、ヤノス・レンドヴァイ、アッティラ・サラス、ガボール・グリアス、グエン・クアン・チン

ナノインデンテーション

A. Pongrácz、J. Szívós、F. Ujhelyi、Zs.ゾルナイ、オー。敗血症、Ａ。クン、ジム。ナドゥドヴァリ、J・バーンズ、レナード・M・ルービン、エドワード・D・ムーア

ドーピングプロファイル、注入量、イオン注入、レーザービームアニーリング、光変調反射測定、反射率

ダニエル・オラス、ヤノス・レンドヴァイ、アッティラ・サラス、ガボール・グリアス、グエン・クアン・チン

ナノインデンテーション、ナノ表面特性評価

アレクサンドル・サヴチューク、マーシャル・ウィルソン、ジョン・ダミコ、カルロス・アルメイダ、ジャセック・ラゴウスキー

コロナチャージ、非接触C-V、プロファイリング、シリコンカーバイド (SiC)、AlGaN、GaN

アレクサンドル・サヴチュク*、マーシャル・ウィルソン、ジョン・ダミコ、カルロス・アルメイダ、アンドリュー・ホフ、ジャセック・ラゴウスキー

コロナ電荷、CV、誘電体特性評価、界面、炭化ケイ素（SiC）、複合材料特性評価、GaN

フェレンツ・コルソス、ゲーザ・ラスロ、ピーター・テュット、セバスチャン・デュボア、ニコラス・エンジャルバート、クリスティアン・キス・サボ、アッティラ・トート

特性評価、反転層シート抵抗、接合光起電力法、非接触、PV、シート抵抗測定

アッティラ・アブラハム、レンケ・コッチ、エムケ・アルバート、ボルバラ・テグゼ、ベアタ・ソルノキ、ノルベルト・ナジ、ジェルジ・サフラン、ペテル・バサ、ゾルターン・ホルヴォルジ

エリプソメトリックポロシメトリー、原子間力顕微鏡 (AFM)、ゾルゲルコーティング、ハイブリッドシリカ、反射防止、撥水

M. Wilson、D. Greenock、D. Marinskiy、A. Savtchouk、A. Ross、C. Almeida、B. Schrayer、J. D'Amico、J. Lagowski

欠陥検出、フォトルミネッセンス、炭化ケイ素 (SiC)

ウィンディッシュM.、ブザG.、マロベツキーA.、ビダá.、セルメッチ・D.、ダンハージ・Z.:

趣旨表面、分光光ソリー、相反物

ヤネツカ、マテ、コヴァッチ、ジョルト、ポングラッツ、アニタ、タリアン、ミクロス

欠陥検査、偏光赤外線イメージング、FinFET、リソグラフィー

ボルバラ・テグゼ、エメケ・アルバート、バーリント・フォドール、ジェルジ・サフラン、ゾルターン・ホルヴォルジ

エリプソメトリックポロシメトリー、ゾルゲルコーティング、メソポーラス、光分解、色素結合、染料吸着、チタニア

アレクサンダー・サヴチュク、マーシャル・ウィルソン、カルロス・アルメイダ、ドミトリー・マリンスキー、ロバート・ヒラード、ヤセック・ラゴウスキー

CV、非接触C-V、非接触測定、シリコンカーバイド (SiC)

コッチ・レンケ、ザンボ・ダニエル、アルバート・エモケ、バサ・ペーター、サフラン・ジェルジ、ホルヴォルジ・ゾルタン

エリプソメトリックポロシメトリー、薄膜特性評価、ナノ構造コーティング、ナノケミカル法

B. Greenwood、J. Kimball、S. Sridaran、K. Truong、A. Lee、S. Menon、J.P. Gambino、L. Jastrzebski、G. Jastrzebski、G. Nadudvari、L. Roszol、M. Nagy、G. Molnar、Z. Kiss、A. Pongracz、J. Byrnes

CMOS集積回路、欠陥、インプラント、イオン注入、フォトルミネッセンス、マイクロフォトルミネッセンスイメージング

L. Jastrzebski、R. Duru、D. Le-Cunff、M. Cannac S. Joblot、I. Mica、M.L. Polignano、A. Galbiati、P. Monge Roffarello、G. Nadudvari、Z. Kiss、I. Lajtos、A. Pongracz、G. Molnár、M. Nagy、L. Dudás、P. Basa、B. グリーンウッド、J. ガンビーノ

結晶欠陥、欠陥検査、イオン注入、フォトルミネッセンスイメージング、プロセスモニタリング、ディープトレンチ

フェレンツ・コルソス、ピーター・トゥッテ、イリアス・セーグ、クリスティアン・キス・サボ、アッティラ・トート

4PP、拡散、接合光起電力技術、太陽光発電、プロセスモニタリング

エメリック・バログ、ピーター・バサ、アッティラ・スート、ベンジャミン・パウエル、アンナ・ボルツケイ・モルナール、シルビア・ビロ

エリプソメトリー、分光エリプソメトリー

F. Ujhelyi、A. Pongracz、A.Kun、J. Szívós、B. Bartal、B. Fodor、A. Bölcskei-Molnár、Gy.Nádudvari、J. Burnes、L. M. Rubin

注入線量、インラインモニタリング、イオン注入、光変調反射測定、半導体

アクシャイ・シン、イーフェイ・リー、バリント・フォドール、ラズロ・マカイ、ジャン・ジョウ、ハオウェイ・シュー、オースティン・エイキー、ジュ・リー、R・ジャラミロ

エリプソメトリー、可視スペクトル、透過型電子顕微鏡、密度汎関数理論、フォトニック集積回路、遷移金属カルコゲナイド、光学計量、結晶性固体、光学エレクトロニクス

アルパッド・ジャカブ、ジョン・バーンズ、ラズロ・マカイ、オードリー・エンゲルスバーグ、アンドリュー・フィンドレー、アロック・ベイド、ニコラス・ピエニアゼック、ジョン・バーカー、ジェフリー・ウッド、ピーター・ラトカ、ピーター・バサ、ジャック・ダウニー

エリプソメトリー、メトロロジー、リフレクトメトリー、半導体デバイス測定

L. Jastrzebski Semilab USA LLC tama G. Nadudvari、D. T. Cseh、L. Roszol、G. Molnar、I. Lajtos Semilab ART cara

引っ張る

I. マイカ、M. L. Poligano、P. Bacciaglia、D. Brazzelli、D. Cseh、A. Galbiati、S. Grasso、M. Juhel、Z. T. Kiss、P. Monge Roffarello、E. Tomezzoli、A. M. Torti

パル、テム

ÁKun、J Szívós、E Kis、L.M. Rubin、T. Szarvas、A. Pongrácz、O. Almási、J. Burnes、Gy.Nádudvari, Sz.スピンドラー、R・ピロス、F・ウジェリ

光変調反射率

マーシャル・ウィルソン、アレクサンドル・サヴチューク、ジョン・ダミコ、ブレット・シュレイヤー、ドミトリー・マリンスキー、ピョートル・エデルマン、カルロス・アルメイダ、トロイ・ザジャック、アンドリュー・デイヴィッド・フィンドレー、ジェイチェク・ラゴウスキー

汚染、拡散長、重金属汚染、マイノリティキャリア拡散長、シリコン (Si)、表面光電圧、ウェーハマッピング

ジェフリー・グレゴリー、マーシャル・ウィルソン、ハイダー・アリ、クリストファー・O・デイビス

アニーリング、半導体、シリコン化合物、太陽電池、薄膜、熱安定性、モリブデン化合物、原子層堆積

サラ・バクシ、グウェ・ジン、マーシャル・ウィルソン、イスマイル・カシュクーシュ、クリストファー・O・デイビス、ウィンストン・V・シェーンフェルド

洗浄技術、パッシベーション、半導体、シリコン太陽電池、UV-オゾン酸化物

サグニック・チャクラボルティ、イン・フアン、マーシャル・ウィルソン、アーミン・G・アバール、ジョエル・B・リー

リン、シリコン太陽電池

サラ・バクシ、グウェ・ジン、ハイダー・アリ、マーシャル・ウィルソン、デバシス・チャンダ、クリストファー・O・デイビス、ウィンストン・V・シェーンフェルド

洗浄技術、不動態化表面、太陽光発電、UV-オゾン酸化物

M.L. Polignano、A. Galbiati、I. Mica、D. Magti、D. Cseh、F. Jay、P. Basa、N. Laurent、I. Lajtos、G. Molnár、L. Dudás、L. Roszol、L. Jastrzebski

キャリア拡散長、金属汚染、フォトルミネッセンス

I. マイカ、M. L. Poligano、P. Bacciaglia、D. Brazzelli、D. Cseh、A. Galbiati、S. Grasso、M. Juhel、Z. T. Kiss、P. Monge Roffarello、E. Tomezzoli、A. M. Torti

シリコン、P注入シーケンス、注入欠陥、アニーリング

F. Korsós、L. Roszol、F. Jay、T. Szarvas、Z. Kiss、A. Szabó、I. Soczó、Gy.N・ローラン・ナドゥヴァリ

チョクラルスキー、バルク微小欠陥、熱履歴、PERT太陽電池、キャリア寿命

L. Jastrzebski、G. Nadudvari、D. T. Cseh、L. Roszol、G. Molnar、I. Lajtos

マイクロフォトルミネッセンスイメージング、転位生成、半導体デバイス、ディープトレンチ、ウェーハ製造